一直以來(lái)，exail（iXblue）的鈮酸鋰電光調(diào)制器以性能穩(wěn)定、高性?xún)r(jià)比著稱(chēng)，為了滿(mǎn)足市場(chǎng)上部分用戶(hù)對(duì)于調(diào)制器類(lèi)產(chǎn)品性能的追求，exail（iXblue）于今年推出了高帶寬、不同波長(zhǎng)的低半波電壓-LVP系列。低半波電壓（Vpi）和高射頻承受功率能力，是電光相位調(diào)制器產(chǎn)生更多調(diào)制邊帶的最重要參數(shù)，將直接影響光譜展寬和光頻梳的寬度。
特點(diǎn)：低半波電壓
品牌：exail/iXblue
一直以來(lái)，exail（iXblue）的鈮酸鋰電光調(diào)制器以性能穩(wěn)定、高性?xún)r(jià)比著稱(chēng)，為了滿(mǎn)足市場(chǎng)上部分用戶(hù)對(duì)于調(diào)制器類(lèi)產(chǎn)品性能的追求，exail（iXblue）于今年推出了高帶寬、不同波長(zhǎng)的低半波電壓-LVP系列。低半波電壓（Vpi）和高射頻承受功率能力，是電光相位調(diào)制器產(chǎn)生更多調(diào)制邊帶的最重要參數(shù)，將直接影響光譜展寬和光頻梳的寬度。
NIR-MPZ-LN-10-LVP 是一款1微米波段（950-1150nm）10GHz帶寬(可用帶寬高達(dá)20GHz)，半波電壓低至2V的相位調(diào)制器，最大最輸入光功率達(dá)到+25dBm（320mW），最大RF功率為+33dBm（2W），滿(mǎn)足了市面上光譜合成、光譜展寬等高功率激光器應(yīng)用。
MPZ-LN-10-LVP是一款C+L波段（1525-1610nm）10GHz帶寬(可用帶寬高達(dá)20GHz)，半波電壓低至3V的相位調(diào)制器，滿(mǎn)足了光頻梳等應(yīng)用。
MPZ2000-LN-10-LVP是一款2um波段（1900-2200nm）10GHz帶寬(可用帶寬高達(dá)20GHz)，半波電壓低至4V的相位調(diào)制器，充分補(bǔ)充了市場(chǎng)上2um波段常規(guī)相位調(diào)制器半波電壓過(guò)高（約7V）的空白，給用戶(hù)提供更優(yōu)的選擇，已經(jīng)應(yīng)用到世界上眾多2um光譜合成的高功率激光項(xiàng)目中。該產(chǎn)品提供高射頻功率版本-HEP，最大RF功率為+33dBm(2W)。
NIR-MPZ-LN-10-LVP 性能亮點(diǎn)*
|
參數(shù) |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
工作波長(zhǎng) |
950 |
1060 |
1150 |
nm |
|
有效帶寬 |
- |
16 |
- |
GHz |
|
射頻半波電壓Vπ@50 kHz |
- |
2 |
- |
V |
|
插入損耗IL |
- |
3 |
4 |
dB |
*測(cè)試條件：25 °C, 2050 nm
MPZ-LN-10-LVP性能亮點(diǎn)*
|
參數(shù) |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
工作波長(zhǎng) |
1530 |
1550 |
1625 |
nm |
|
有效帶寬 |
- |
20 |
- |
MHz |
|
射頻半波電壓Vπ@50 kHz |
- |
3 |
- |
V |
|
插入損耗IL |
- |
3 |
4 |
dB |
*測(cè)試條件：25 °C, 2050 nm
MPZ2000-LN-10-LVP性能亮點(diǎn)*
|
參數(shù) |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
工作波長(zhǎng) |
1900 |
2000 |
2200 |
nm |
|
有效帶寬 |
- |
20 |
- |
GHz |
|
射頻半波電壓Vπ@50 kHz |
- |
4 |
- |
V |
|
工作波長(zhǎng) |
- |
3 |
4 |
dB |
*測(cè)試條件：25 °C, 2050 nm
NIR-MPZ-LN-10-LVP20 GHz相位調(diào)制器
射頻參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
電光帶寬 |
S21 |
- |
10 |
12 |
- |
GHz |
|
有效帶寬 |
S21 |
- |
- |
20 |
- |
GHz |
|
紋波21 |
?S21 |
- |
- |
0.5 |
1 |
dB |
|
射頻回波損耗 |
S11 |
- |
- |
-13 |
-10 |
dB |
|
Vπ RF @50 kHz/1GHz |
VπRF 50 kHz |
- |
- |
2/2.3 |
- |
V |
|
Vπ RF @10GHz |
VπRF10 GHz |
- |
- |
3 |
- |
V |
|
RF輸入阻抗 |
Zin - RF |
- |
- |
50 |
- |
Ω |
光學(xué)參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
晶體 |
- |
- |
Lithium NiobateZ-Cut Y-Prop |
|||
|
波導(dǎo)處理方式 |
- |
- |
質(zhì)子交換 |
|||
|
工作波長(zhǎng)范圍 |
λ |
- |
950 |
1060 |
1150 |
nm |
|
插入損耗IL |
IL |
不含接頭* |
- |
3 |
4 |
dB |
|
偏振消光比 |
PER |
標(biāo)準(zhǔn),不含接頭* |
20 |
- |
- |
dB |
|
可選,包含/不含接頭 |
25 |
30 |
- |
dB |
||
|
光回波損耗 |
ORL |
- |
-40 |
-45 |
- |
dB |
除非另有規(guī)定，否則在25°C、1060 nm條件下給出的所有規(guī)格。
（*）考慮每個(gè)FC/APC光學(xué)連接器的額外損耗高達(dá)0.4 dB。
絕對(duì)最大值
超過(guò)絕對(duì)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。這些是絕對(duì)壓力等級(jí)只有在這些或任何其他條件下，設(shè)備的功能操作并不意味著超過(guò)數(shù)據(jù)表操作部分給出的條件。長(zhǎng)時(shí)間暴露于絕對(duì)最大額定值可能會(huì)對(duì)設(shè)備可靠性產(chǎn)生不利影響。
|
參數(shù) |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
RF輸入功率（CW模式） |
EVin |
- |
+33 |
V |
|
最大輸入光功率（CW模式） |
OPin |
- |
+25 |
dBm |
|
工作溫度范圍 |
OT |
0 |
+70 |
℃ |
|
存儲(chǔ)溫度范圍 |
ST |
-40 |
+85 |
℃ |
NIR-MPZ-LN-20 30 GHz相位調(diào)制器
射頻參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
電光帶寬 |
S21 |
- |
16 |
20 |
- |
GHz |
|
有效帶寬 |
S21 |
- |
- |
30 |
- |
GHz |
|
紋波21 |
?S21 |
- |
- |
0.5 |
1 |
dB |
|
射頻回波損耗 |
S11 |
- |
- |
-13 |
-10 |
dB |
|
Vπ RF @50 kHz |
VπRF 50 kHz |
- |
- |
3.5 |
4 |
V |
|
Vπ RF @20 GHz |
VπRF20 GHz |
- |
- |
6 |
- |
V |
|
RF輸入阻抗 |
Zin - RF |
- |
- |
50 |
- |
Ω |
光學(xué)參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
晶體 |
- |
- |
Lithium NiobateZ-Cut Y-Prop |
|||
|
波導(dǎo)處理方式 |
- |
- |
質(zhì)子交換 |
|||
|
工作波長(zhǎng)范圍 |
λ |
- |
950 |
1060 |
1150 |
nm |
|
插入損耗IL |
IL |
不含接頭* |
- |
3 |
4 |
dB |
|
低插入損耗LIL |
LIL |
不含接頭* |
- |
2.5 |
3 |
dB |
|
偏振消光比 |
PER |
標(biāo)準(zhǔn),不含接頭* |
20 |
- |
- |
dB |
|
光回波損耗 |
ORL |
- |
-40 |
-45 |
- |
dB |
除非另有規(guī)定，否則在25°C、1060 nm條件下給出的所有規(guī)格。
（*）考慮每個(gè)FC/APC光學(xué)連接器的額外損耗高達(dá)0.4 dB。
絕對(duì)最大值
超過(guò)絕對(duì)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。這些是絕對(duì)壓力等級(jí)只有在這些或任何其他條件下，設(shè)備的功能操作并不意味著超過(guò)數(shù)據(jù)表操作部分給出的條件。長(zhǎng)時(shí)間暴露于絕對(duì)最大額定值可能會(huì)對(duì)設(shè)備可靠性產(chǎn)生不利影響。
|
參數(shù) |
符合 |
Typ |
Max |
Unit |
|
RF輸入功率（CW模式） |
EPin |
- |
+33 |
V |
|
光功率（CW模式） |
OPin |
- |
+25 |
|
|
工作溫度范圍 |
OT |
-30 |
+70 |
dBm |
|
工作溫度變化率 |
OTvr |
- |
1 |
|
|
存儲(chǔ)溫度范圍 |
ST |
-40 |
+85 |
℃ |
|
震動(dòng)沖擊 |
Vib
|
MIL-STD-883J method 2007.3 - Test condition B |
||
|
機(jī)械沖擊 |
Shock |
MIL-STD-882J method 2002.5 - Test condition B |
||
MPZ-LN-10-LVP 20 GHz相位調(diào)制器
射頻參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
電光帶寬 |
S21 |
- |
- |
10 |
- |
GHz |
|
有效帶寬 |
S21 |
- |
- |
20 |
- |
GHz |
|
紋波21 |
ΔS21 |
- |
- |
0.5 |
1 |
dB |
|
射頻回波損耗 |
S11 |
- |
- |
-15 |
-10 |
dB |
|
Vπ RF @50 kHz |
Vπ RF 50 kHz |
- |
- |
3 |
4 |
V |
|
Vπ RF @10 GHz / 16 GHz |
VπRF 10 GHz / 16 GHz |
- |
- |
5.5 |
- |
V |
|
RF輸入阻抗 |
Zin - RF |
- |
- |
50 |
- |
Ω |
光學(xué)參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
晶體 |
- |
- |
Lithium Niobate Z-Cut X-Prop |
|||
|
波導(dǎo)處理方式 |
- |
- |
Ti diffusion |
|||
|
工作波長(zhǎng)范圍 |
λ |
- |
1530 |
1550 |
1625 |
nm |
|
插入損耗IL |
IL |
不含接頭* |
- |
3 |
4 |
dB |
|
光回波損耗 |
ORL |
- |
-40 |
-45 |
- |
dB |
除非另有規(guī)定，否則在25°C、1550 nm條件下給出的所有規(guī)格。
（*）考慮每個(gè)FC/APC光學(xué)連接器的額外損耗高達(dá)0.25dB。
絕對(duì)最大值
超過(guò)絕對(duì)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。這些是絕對(duì)壓力等級(jí)只有在這些或任何其他條件下，設(shè)備的功能操作并不意味著超過(guò)數(shù)據(jù)表操作部分給出的條件。長(zhǎng)時(shí)間暴露于絕對(duì)最大額定值可能會(huì)對(duì)設(shè)備可靠性產(chǎn)生不利影響。
|
參數(shù) |
符合 |
條件 |
Min |
Max |
Unit |
|
RF輸入功率 |
EVin |
|
- |
28 |
dBm |
|
最大輸入光功率（CW模式） |
OPin |
|
- |
20 |
dBm |
|
工作溫度范圍 |
OT |
|
0 |
+70 |
℃ |
|
存儲(chǔ)溫度范圍 |
ST |
|
-40 |
+85 |
℃ |
MPX2000-LN-10-LVP20GHz低半波電壓相位調(diào)制器
射頻參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
電光帶寬 |
S21 |
- |
- |
10 |
- |
GHz |
|
有效帶寬 |
S21 |
- |
- |
120 |
- |
GHz |
|
紋波21 |
ΔS21 |
- |
- |
0.5 |
1 |
dB |
|
射頻回波損耗 |
S11 |
- |
- |
-13 |
-10 |
dB |
|
Vπ RF @50 kHz |
Vπ RF 50 kHz |
- |
- |
4 |
5 |
V |
|
Vπ RF @10GHz |
Vπ RF10 GHz |
- |
- |
6 |
- |
V |
|
RF輸入阻抗 |
Zin - RF |
- |
- |
50 |
- |
Ω |
光學(xué)參數(shù)
|
參數(shù) |
符號(hào) |
條件 |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
晶體 |
- |
- |
Lithium NiobateZ-Cut Y-Prop |
|||
|
波導(dǎo)處理方式 |
- |
- |
質(zhì)子交換 |
|||
|
工作波長(zhǎng) |
λ |
- |
1900 |
2050 |
2200 |
nm |
|
插入損耗 |
IL |
不含接頭* |
- |
3 |
4 |
dB |
|
光回波損耗 |
ORL |
- |
-40 |
-45 |
- |
dB |
除非另有規(guī)定，否則在25°C、2050 nm條件下給出的所有規(guī)格。
（*）考慮每個(gè)FC/APC光學(xué)連接器的額外損耗高達(dá)0.25 dB。
絕對(duì)最大值
超過(guò)絕對(duì)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。這些是絕對(duì)壓力等級(jí)只有在這些或任何其他條件下，設(shè)備的功能操作并不意味著超過(guò)數(shù)據(jù)表操作部分給出的條件。長(zhǎng)時(shí)間暴露于絕對(duì)最大額定值可能會(huì)對(duì)設(shè)備可靠性產(chǎn)生不利影響。
|
參數(shù) |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
射頻輸入功率 (CW模式) |
EPin |
- |
28 |
dBm |
|
最大輸入光功率（CW模式） |
OPin |
- |
20 |
dBm |
|
工作溫度范圍 |
OT |
0 |
+70 |
°C |
|
存儲(chǔ)溫度范圍 |
ST |
-40 |
+85 |
°C |
產(chǎn)品尺寸&引腳定義：mm
|
|
|||
|
端口 |
功能 |
說(shuō)明 |
|
|
IN |
光輸入端口 |
保偏光纖（適合對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)）；長(zhǎng)度: 1.5m, 900 μm松套管 |
|
|
OUT |
光輸出端口 |
保偏光纖（適合對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)）；長(zhǎng)度: 1.5m, 900 μm松套管 |
|
|
RF |
RF輸入端口 |
Female K (兼容SMA) |
|
Exail（iXblue）是全球領(lǐng)先、著名的電光調(diào)制器及配套產(chǎn)品、特種光纖/光柵、電光調(diào)制器系統(tǒng)制造商。旗下產(chǎn)品多用于微波光子、光電通信、量子&冷原子、航天航空、光纖傳感、光學(xué)器件生產(chǎn)及測(cè)試等眾多領(lǐng)域。
蘇州波弗光電科技有限公司是法國(guó)Exail（iXblue）公司中國(guó)區(qū)的授權(quán)代理商，負(fù)責(zé)Exail（iXblue）電光調(diào)制器產(chǎn)品、光纖、參考發(fā)射機(jī)（ModBox）等產(chǎn)品國(guó)內(nèi)的售前、銷(xiāo)售、售后服務(wù)工作，同時(shí)波弗光電擁有大部分Exail（iXblue）電光調(diào)制器、射頻放大驅(qū)動(dòng)器、偏壓控制器現(xiàn)貨產(chǎn)品（查看鏈接現(xiàn)貨明細(xì)），有需要的用戶(hù)請(qǐng)聯(lián)系蘇州波弗光電科技有限公司。
蘇州波弗光電科技有限公司是一家專(zhuān)注于光電通信（數(shù)字通信、模擬通信、相干通信、量子通信）、光纖傳感、量子應(yīng)用、光學(xué)相干斷層掃描（OCT）、視覺(jué)成像等領(lǐng)域的光電子器件系統(tǒng)集成商。目前于數(shù)十家國(guó)外知名企業(yè)簽訂代理協(xié)議，如iXblue、PicoLAS，WasatchpPotonics，ID-Photonics，WLPhotonics，Innolume，ID-Photonics，Kylia，Alnairlabs，Albisopto，AOS-fiber，Piezomechanik，EOTECH，Agiltron等。我們擁有數(shù)千萬(wàn)的現(xiàn)貨庫(kù)存產(chǎn)品：鈮酸鋰電光調(diào)制器、射頻放大驅(qū)動(dòng)器、偏壓控制器、激光器、SLED光源、激光器驅(qū)動(dòng)、光電二極管、光電探測(cè)器等。
